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重庆周边仪器/仪表信息
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苏州爱斯ACE干热灭菌生物指示剂
干热灭菌生物指示剂H6302K由枯草杆菌黑色变种芽孢(ATCC9372)菌片(载体为玻璃纤维,耐高温)密封在玻璃管内的生物指示剂。保存 请在温度 2-25℃、相对湿度20-80%RH条件下避光保存。生物指示剂应避免靠近灭菌器和化学消毒剂。注意点 使用前确认产品是否完整,是否在有效期内,162022-04-16 -
湛江专业销售干热灭菌生物指示剂H6302K
干热灭菌生物指示剂菌种采用 USP(美国药典)和 ISO-11138(国际标准化组织)指定的 Bacillus atrophaeus ATCC 9372。保存 请在温度 2-25℃、相对湿度20-80%RH条件下避光保存。生物指示剂应避免靠近灭菌器和化学消毒剂。干热是指相对湿度在20%以下的高热。干热消毒灭菌是由162022-04-13 -
杭州爱斯ACE干热灭菌生物指示剂,干热灭菌指示剂
干热灭菌生物指示剂:用于测定干热灭菌器对细菌芽孢的杀灭能力,以验证其灭菌性能是否符合原设计规定及干热灭菌效果的生物监测。剂。菌片含菌量为1×106~5×106cfu/片。D值为1.3~1.9分钟。在温度为160℃±2℃的条件下,存活时间≥3.9分钟,杀灭时间≤19分钟。如果灭菌处理不完全162022-04-11 -
爱斯ACE干热灭菌指示剂,宁波专业销售干热灭菌生物指示剂报价
剂。菌片含菌量为1×106~5×106cfu/片。D值为1.3~1.9分钟。在温度为160℃±2℃的条件下,存活时间≥3.9分钟,杀灭时间≤19分钟。使用方法 1.将菌片放入干热灭菌器或者干热灭菌设备内与被灭菌物品同时进行灭菌。(灭菌温度:160-350℃) 2.灭菌完成后,须在无菌环境下,将菌片放入162022-04-08 -
美国3M环氧乙烷灭菌生物指示剂1264S报价
监测频率:3M Attest生物指示剂应放置在适当的测试盘或包装内,以便监测每一个负载。此方法对灭菌过程来说是一个挑战,它提高了灭菌过程的成效。产品名称: 3MTM 环氧乙烷灭菌生物培养指示剂 产品型号: 1264S 执行标准:质量标准 用途:用于环氧乙烷灭菌锅的生物监测;处理:212022-04-06 -
汕头EZS/6生物指示剂
使用一只指示剂作为阳性对照,放置一只未破碎的,未灭菌的生物指示剂在培养箱中作为日常控制。 如果阳性对照没有菌生长,就不要使用此盒生物指示剂。一旦发生阳性试验(变为黄色)第一时间应记录下来。通知医院人员(例如疾病控制中心)。 建议的培养时间是24 小时(符合 US272022-04-04 -
长春爱斯汽化过氧化氢灭菌生物指示剂H3726T
品名:汽化过氧化氢灭菌生物指示剂 型号:H3726T 芽孢数∶1.5×106以上 菌种:Geobacillus stearothermophilus NBRC12550 (ATCC 12980)保存方法: 请在2~25°C避光保管。(培养基请在2~10°C保管。)如冷藏保存的话,请在产品温度回到室温后再使用。VHP灭菌技术用于空间的消202022-04-03 -
沧州供应GT涡轮震动器 坚固耐用
其内有偏心涡轮在轨道上高速回转而产生大功率的离心力。壳体由-挤压成形烤漆铝件与硬处理的底板构成。偏心涡轮由二个高功率,预润滑的匹配有护圈轴承支持。采用轴承的内座圈与外座圈的设计,只需利用-销子扳手就很容易更换轴承、利用左旋与右旋螺纹固定的底板系自动锁定。另面议2022-03-18
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二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等;以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。重庆周边面议2024-04-26 -
高电压大电流功率器件测试机
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和重庆周边面议2024-04-26 -
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源,并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小,预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围,全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量重庆周边面议2024-04-26 -
旁路二极管热性能测试脉冲电流源
热斑效应:太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡,将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管,重庆周边面议2024-04-26 -
大电流电源3000A电流源
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和重庆周边面议2024-04-26 -
E系列功率器件功能高压测试模块
武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优重庆周边面议2024-04-26 -
功率器件分析仪igbt模块测试机
功率器件分析仪igbt模块测试机特点 高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV); 大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联); 高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试; 丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数; 配置导出:支持一键重庆周边面议2024-04-26 -
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表 实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量,测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线,并可记录存档。 S系列源表+上位机软件重庆周边面议2024-04-26 -
apd暗电流测试数字源表
在APD的光电特性中,暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下,APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流,暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时,通常面临如下挑战:测试环境影响、连接重庆周边面议2024-04-26 -
晶体管iv图示仪分立器件检测仪
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,是一种半导体器件,放大器或电控开关常用;包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模重庆周边面议2024-04-26 -
功率器件功能高压测试模块
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势: 十ms级的上升沿和下降沿; 单台最大3500V的输出; 0.1%测试精度; 同步电流或电压测量; 支持程控恒压测流,恒流测压,便于扫描测试;详询一八一四零六六三四七六; 部分参数 最大输出功率:350W,3500V重庆周边面议2024-04-26 -
国产半导体参数分析仪1200V/100A
SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试;SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助重庆周边面议2024-04-26
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